Transistor canal N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF8010

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.17$	3.33$
5 - 9	3.01$	3.16$
10 - 24	2.85$	2.99$
25 - 49	2.69$	2.82$
50 - 69	2.63$	2.76$

Quantité	U.P
1 - 4	3.17$	3.33$
5 - 9	3.01$	3.16$
10 - 24	2.85$	2.99$
25 - 49	2.69$	2.82$
50 - 69	2.63$	2.76$

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Transistor canal N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF8010. Transistor canal N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3850pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 320A. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 260W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 61 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 00:25.

Documentation technique