Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.06$ | 1.11$ |
5 - 9 | 1.01$ | 1.06$ |
10 - 24 | 0.98$ | 1.03$ |
25 - 49 | 0.96$ | 1.01$ |
50 - 99 | 0.94$ | 0.99$ |
100 - 249 | 0.82$ | 0.86$ |
250 - 709 | 0.79$ | 0.83$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.06$ | 1.11$ |
5 - 9 | 1.01$ | 1.06$ |
10 - 24 | 0.98$ | 1.03$ |
25 - 49 | 0.96$ | 1.01$ |
50 - 99 | 0.94$ | 0.99$ |
100 - 249 | 0.82$ | 0.86$ |
250 - 709 | 0.79$ | 0.83$ |
Transistor canal P, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v - IRF7205PBF. Transistor canal P, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 4.6A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 870pF. C (out): 720pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 15A. Id (T=100°C): 3.7A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 97 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 04:25.
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