Transistor canal N, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRF540NS

Quantité	HT	TTC
1 - 4	2.07$	2.17$
5 - 9	1.97$	2.07$
10 - 24	1.87$	1.96$
25 - 49	1.76$	1.85$
50 - 50	1.72$	1.81$

Quantité	U.P
1 - 4	2.07$	2.17$
5 - 9	1.97$	2.07$
10 - 24	1.87$	1.96$
25 - 49	1.76$	1.85$
50 - 50	1.72$	1.81$

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Transistor canal N, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRF540NS. Transistor canal N, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 1400pF. C (out): 330pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRF540NSPBF. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 22:25.

Documentation technique