Transistor canal P, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF5210

Quantité	HT	TTC
1 - 4	4.03$	4.23$
5 - 9	3.83$	4.02$
10 - 24	3.63$	3.81$
25 - 49	3.43$	3.60$
50 - 99	3.35$	3.52$
100 - 110	3.07$	3.22$

Quantité	U.P
1 - 4	4.03$	4.23$
5 - 9	3.83$	4.02$
10 - 24	3.63$	3.81$
25 - 49	3.43$	3.60$
50 - 99	3.35$	3.52$
100 - 110	3.07$	3.22$

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Transistor canal P, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF5210. Transistor canal P, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2700pF. C (out): 790pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 29A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 79 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 09:25.

Documentation technique