Transistor canal N, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V - IRF1407

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.37$	3.54$
5 - 9	3.20$	3.36$
10 - 24	3.03$	3.18$
25 - 49	2.86$	3.00$
50 - 99	2.80$	2.94$
100 - 101	2.56$	2.69$

Quantité	U.P
1 - 4	3.37$	3.54$
5 - 9	3.20$	3.36$
10 - 24	3.03$	3.18$
25 - 49	2.86$	3.00$
50 - 99	2.80$	2.94$
100 - 101	2.56$	2.69$

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Transistor canal N, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V - IRF1407. Transistor canal N, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 92A. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0078 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 5600pF. C (out): 890pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 520A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 00:25.

Documentation technique