Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 12.00$ | 12.60$ |
2 - 2 | 11.40$ | 11.97$ |
3 - 4 | 10.80$ | 11.34$ |
5 - 9 | 10.20$ | 10.71$ |
10 - 19 | 9.96$ | 10.46$ |
20 - 29 | 9.72$ | 10.21$ |
30 - 39 | 9.36$ | 9.83$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 12.00$ | 12.60$ |
2 - 2 | 11.40$ | 11.97$ |
3 - 4 | 10.80$ | 11.34$ |
5 - 9 | 10.20$ | 10.71$ |
10 - 19 | 9.96$ | 10.46$ |
20 - 29 | 9.72$ | 10.21$ |
30 - 39 | 9.36$ | 9.83$ |
Transistor canal N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322. Transistor canal N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P( GCE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Type de canal: N. Fonction: 'Current Resonance Inverter Switching'. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 100A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 400 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.1V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 04:25.
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