Transistor canal N, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FDP18N50

Quantité	HT	TTC
1 - 1	7.80$	8.19$
2 - 2	7.41$	7.78$
3 - 4	7.02$	7.37$
5 - 9	6.63$	6.96$
10 - 19	6.48$	6.80$
20 - 29	6.32$	6.64$
30 - 68	6.09$	6.39$

Quantité	U.P
1 - 1	7.80$	8.19$
2 - 2	7.41$	7.78$
3 - 4	7.02$	7.37$
5 - 9	6.63$	6.96$
10 - 19	6.48$	6.80$
20 - 29	6.32$	6.64$
30 - 68	6.09$	6.39$

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Transistor canal N, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FDP18N50. Transistor canal N, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 10.8A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2200pF. C (out): 330pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 72A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 235W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: N-Channel MOSFET (UniFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 22:25.

Documentation technique