Diodes Zéner

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 2.7V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 2.7V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5256B, BZX55C30, ZPD30. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 33V, DO-35. Tension Zéner: 33V. Boîtier: DO-35. Type de diode: Diode Zéner. Puissance: 0.5W

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 36V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 36V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: BZX79-C36, ZPD36, BZX55C36. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 3V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 3V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 3.3V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 3.3V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5226B, BZX79C3V3, ZPD3.3. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 3.6V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 3.6V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5227B, BZX79C3V6, ZPD3.6. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 3.9V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 3.9V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5228B, BZX79C3V9, ZPD3.9. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 43V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 43V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 47V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 47V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 4.3V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 4.3V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5229B, BZX79C4V3, ZPD4.3. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 4.7V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 4.7V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5230B, BZX79C4V7, ZPD4.7. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 51V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 51V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 5.1V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 5.1V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 0.1uA. Equivalences: 1N5231B, BZX79C5V1, ZPD5.1. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 5.6V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 5.6V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5232B, BZX79C5V6, ZPD5.6. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 62V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 62V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 6.2V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 6.2V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 0.1uA. Equivalences: 1N5234B, BZX79C6V2, ZPD6.2. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 6.8V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 6.8V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5235B, BZX79C6V8, ZPD6.8. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 7.5V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 7.5V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5236B, BZX79C7V5, ZPD7.5. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 8.2V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 8.2V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: 1N5237B, BZX79C8V2, ZPD8.2. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.5W, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 9.1V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension Zéner: 9.1V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.1uA. Equivalences: 1N5239B, BZX79C9V1, ZPD9.1. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 5.1V, 0.25W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 5.1V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. RoHS: oui. Famille de composants: diode zéner, montage CMS, max 250mW. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 2V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 400 Ohms @ 1mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, 0.35W, SOT-23 ( TO-236 ), 62V. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension Zéner: 62V. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 3. Dimensions: 2.9x1.5mm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%

Diode Zéner, 0.35W, SOT-23 ( TO-236 ), 10V. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension Zéner: 10V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SI-Z SMD. Marquage sur le boîtier: Z9. RoHS: oui. Distance entre connexions (pas): 2.9x1.5mm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Diode Zéner, 0.35W, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 11V. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension Zéner: 11V. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Distance entre connexions (pas): 2.9x1.5mm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -55...+150°C