Diode, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V - US1M

Quantité (Lot de 10)	HT	TTC
1 - 1	0.48$	0.50$
2 - 2	0.46$	0.48$
3 - 4	0.43$	0.45$
5 - 9	0.42$	0.44$
10 - 24	0.41$	0.43$
25 - 49	0.39$	0.41$
50 - 1728	0.37$	0.39$

Quantité (Lot de 10)	U.P
1 - 1	0.48$	0.50$
2 - 2	0.46$	0.48$
3 - 4	0.43$	0.45$
5 - 9	0.42$	0.44$
10 - 24	0.41$	0.43$
25 - 49	0.39$	0.41$
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Diode, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V - US1M. Diode, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Equivalences: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Produit d'origine constructeur Yangjie Electronic Technology. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 06:25.

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