Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.66$ | 0.69$ |
5 - 9 | 0.63$ | 0.66$ |
10 - 24 | 0.60$ | 0.63$ |
25 - 49 | 0.50$ | 0.53$ |
50 - 99 | 0.47$ | 0.49$ |
100 - 149 | 0.44$ | 0.46$ |
150 - 431 | 0.41$ | 0.43$ |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.66$ | 0.69$ |
5 - 9 | 0.63$ | 0.66$ |
10 - 24 | 0.60$ | 0.63$ |
25 - 49 | 0.50$ | 0.53$ |
50 - 99 | 0.47$ | 0.49$ |
100 - 149 | 0.44$ | 0.46$ |
150 - 431 | 0.41$ | 0.43$ |
Diode, 215mA, 1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V - BAS16. Diode, 215mA, 1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. IF(AV): 215mA. IFSM: 1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Cj: 1.5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de commutation à haute vitesse. IRM (max): 0.5uA. IRM (min): 30nA. Marquage sur le boîtier: A6W. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 715mV. Spec info: IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us). Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 05:25.
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