Diode, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8.1x6.2x2.6mm), 100V - 30BQ100
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.66$ | 0.69$ |
| 10 - 24 | 0.63$ | 0.66$ |
| 25 - 49 | 0.59$ | 0.62$ |
| 50 - 99 | 0.56$ | 0.59$ |
| 100 - 249 | 0.55$ | 0.58$ |
| 250 - 499 | 0.48$ | 0.50$ |
| 500 - 3495 | 0.45$ | 0.47$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.66$ | 0.69$ |
| 10 - 24 | 0.63$ | 0.66$ |
| 25 - 49 | 0.59$ | 0.62$ |
| 50 - 99 | 0.56$ | 0.59$ |
| 100 - 249 | 0.55$ | 0.58$ |
| 250 - 499 | 0.48$ | 0.50$ |
| 500 - 3495 | 0.45$ | 0.47$ |
Diode, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8.1x6.2x2.6mm), 100V - 30BQ100. Diode, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8.1x6.2x2.6mm), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC (8.1x6.2x2.6mm). VRRM: 100V. Cj: 115pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Marquage sur le boîtier: 3J. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.96V. Tension de seuil Vf (min): 0.62V. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 04:25.
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