Circuit intégré. Fonction: 1 x MOSFET Gate Driver. Remarque: Inverting. Remarque: haute vitesse. Remarque: délais courts < 78ns. Remarque: Protection ESD 4kV. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 470mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: 0...+70°C. VCC: 4.5...30V. Tension d'alimentation (op): 36V