Commande de MOSFET

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP8. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 8. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT en demi-pont. Nombre de circuits: 1. Tension d'alimentation mini (V): +10V. Tension d'alimentation maxi (V): +20V/600V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT en demi-pont. Nombre de circuits: 1. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C. Tension d'alimentation mini (V): +10V. Tension d'alimentation maxi (V): +20V/600V

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP8. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 8. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT en demi-pont. Nombre de circuits: 1. Tension d'alimentation mini (V): +10V. Tension d'alimentation maxi (V): +20V/600V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT en demi-pont. Nombre de circuits: 1. Tension d'alimentation mini (V): +10V. Tension d'alimentation maxi (V): +20V/600V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP28. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 28. Type de circuits: Pilote de pont MOSFET/IGBT triphasé. Nombre de circuits: 1. Tension d'alimentation mini (V): +12V. Tension d'alimentation maxi (V): +20V/1200V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT en demi-pont. Nombre de circuits: 1. Tension d'alimentation mini (V): +10V. Tension d'alimentation maxi (V): +600V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Circuit intégré. Fonction: 'Efficient Power MOSFET and IGBT Switching'. Remarque: 4A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers. Remarque: haute vitesse. Remarque: tr 9ns, tf 8ns (Cload=1000pF Vcc=18v). Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+125°C. VCC: 4.5...35V. Tension d'alimentation (op): 40V

Circuit intégré. Type de montage: THT. Série: n/a. Information: n/a

Circuit intégré. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-20. Type de montage: THT. Série: n/a. Information: n/a

Circuit intégré. Remarque: PWM Control. Remarque: Correction du facteur de puissance (PFC). Nombre de connexions: 20. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-20

Circuit intégré. Fonction: 'Dual High Voltage Half Bridge Driver'. Remarque: Vout 580V. Remarque: Switching times 50/30ns. Remarque: Fréquence de commutation 400kHz. Remarque: courant de repos 100uA. Equivalences: L6384ED013TR. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 750mW. RoHS: oui. Spec info: version améliorée du L6384D. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -45...+125°C. VCC: 0.3...14.6V

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO14. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 14. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT en demi-pont. Nombre de circuits: 1. Tension d'alimentation mini (V): +9.1V. Tension d'alimentation maxi (V): +17V/600V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -45°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C. Boîtier (norme JEDEC): composant monté en surface (CMS)

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré analogique. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP8. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 8. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT en demi-pont. Nombre de circuits: 1. Tension d'alimentation mini (V): +10V. Tension d'alimentation maxi (V): +16.6V/500V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré analogique. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO20. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 20. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Nombre de circuits: 4. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +32V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP16. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 16. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT en demi-pont. Nombre de circuits: 1. Tension d'alimentation mini (V): +5V. Tension d'alimentation maxi (V): +30V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Nombre de circuits: 1. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +18V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Nombre de circuits: 1. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +18V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP8. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 8. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Nombre de circuits: 2. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +18V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Fonction: Circuit intégré de pilote de puissance. Marquage sur le boîtier: MAX4928CPA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 742mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: 0...+70°C. VCC: 4.5...18V. Tension d'alimentation (op): 20V

Circuit intégré. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Puissance de la diode: 471mW. Fonction: Circuit intégré de pilote de puissance. Marquage sur le boîtier: MAX4928ESA. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 4.5...18V. Tension d'alimentation (op): 20V

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Nombre de circuits: 1. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +18V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Nombre de circuits: 1. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +18V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré analogique. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TSSOP20. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 20. Type de circuits: 'driver'. Nombre de circuits: 1. Tension d'alimentation mini (V): +2.3V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP8. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 8. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Nombre de circuits: 2. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +18V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Nombre de circuits: 2. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +18V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C