Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.01$ | 1.06$ |
5 - 9 | 0.96$ | 1.01$ |
10 - 24 | 0.91$ | 0.96$ |
25 - 49 | 0.85$ | 0.89$ |
50 - 99 | 0.83$ | 0.87$ |
100 - 249 | 0.71$ | 0.75$ |
250 - 498 | 0.67$ | 0.70$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.01$ | 1.06$ |
5 - 9 | 0.96$ | 1.01$ |
10 - 24 | 0.91$ | 0.96$ |
25 - 49 | 0.85$ | 0.89$ |
50 - 99 | 0.83$ | 0.87$ |
100 - 249 | 0.71$ | 0.75$ |
250 - 498 | 0.67$ | 0.70$ |
Transistor PNP, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE210G. Transistor PNP, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). C (out): 120pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65MHz. Dissipation de puissance maxi: 15W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE200. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 04:25.
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