Transistor NPN, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V - MMSS8050-H
| Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 2.28$ | 2.39$ |
| 2 - 2 | 2.16$ | 2.27$ |
| 3 - 4 | 2.05$ | 2.15$ |
| 5 - 9 | 1.93$ | 2.03$ |
| 10 - 24 | 1.82$ | 1.91$ |
| 25 - 49 | 1.49$ | 1.56$ |
| 50 - 214 | 1.40$ | 1.47$ |
| Quantité (Lot de 10) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 2.28$ | 2.39$ |
| 2 - 2 | 2.16$ | 2.27$ |
| 3 - 4 | 2.05$ | 2.15$ |
| 5 - 9 | 1.93$ | 2.03$ |
| 10 - 24 | 1.82$ | 1.91$ |
| 25 - 49 | 1.49$ | 1.56$ |
| 50 - 214 | 1.40$ | 1.47$ |
Transistor NPN, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V - MMSS8050-H. Transistor NPN, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (out): 9pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 350. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: Y1. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 01:25.
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