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Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU808DFX-PMC

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Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU808DFX-PMC. Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Résistance BE: 260 Ohms. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 62W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Fonction: hFE 60...230, boîtier plastique isolé. Spec info: temps de descente 0.8us. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 00:25.

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Transistor NPN, 8A, ISOWATT218FX, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Résistance BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 230. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms)
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