Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 5.02$ | 5.27$ |
5 - 9 | 4.77$ | 5.01$ |
10 - 24 | 4.52$ | 4.75$ |
25 - 49 | 4.27$ | 4.48$ |
50 - 99 | 4.17$ | 4.38$ |
100 - 249 | 3.53$ | 3.71$ |
250 - 305 | 3.40$ | 3.57$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 5.02$ | 5.27$ |
5 - 9 | 4.77$ | 5.01$ |
10 - 24 | 4.52$ | 4.75$ |
25 - 49 | 4.27$ | 4.48$ |
50 - 99 | 4.17$ | 4.38$ |
100 - 249 | 3.53$ | 3.71$ |
250 - 305 | 3.40$ | 3.57$ |
Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V - 2SC2713-GR. Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: DG. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 300mV. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS DG. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1163. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 01:25.
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