Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 60V, 3.1A - SI4948BEY-T1-GE3
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.42$ | 3.59$ |
| 5 - 9 | 3.25$ | 3.41$ |
| 10 - 24 | 3.08$ | 3.23$ |
| 25 - 49 | 2.91$ | 3.06$ |
| 50 - 99 | 2.84$ | 2.98$ |
| 100 - 238 | 2.02$ | 2.12$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.42$ | 3.59$ |
| 5 - 9 | 3.25$ | 3.41$ |
| 10 - 24 | 3.08$ | 3.23$ |
| 25 - 49 | 2.91$ | 3.06$ |
| 50 - 99 | 2.84$ | 2.98$ |
| 100 - 238 | 2.02$ | 2.12$ |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 60V, 3.1A - SI4948BEY-T1-GE3. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 60V, 3.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4948BEY-T1-GE3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ -3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 20:25.
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