Transistor canal P, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v - SI4435BDY

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.03$	1.08$
5 - 9	0.98$	1.03$
10 - 24	0.93$	0.98$
25 - 49	0.88$	0.92$
50 - 99	0.86$	0.90$
100 - 249	0.84$	0.88$
250 - 2093	0.80$	0.84$

Quantité	U.P
1 - 4	1.03$	1.08$
5 - 9	0.98$	1.03$
10 - 24	0.93$	0.98$
25 - 49	0.88$	0.92$
50 - 99	0.86$	0.90$
100 - 249	0.84$	0.88$
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Transistor canal P, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v - SI4435BDY. Transistor canal P, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 5.6A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 110 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 01:25.

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