Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -20V, -4.7A - SI2323DS-T1-E3
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.42$ | 3.59$ |
| 5 - 9 | 3.25$ | 3.41$ |
| 10 - 24 | 3.08$ | 3.23$ |
| 25 - 49 | 2.91$ | 3.06$ |
| 50 - 99 | 2.84$ | 2.98$ |
| 100 - 249 | 2.77$ | 2.91$ |
| 250 - 3353 | 2.63$ | 2.76$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.42$ | 3.59$ |
| 5 - 9 | 3.25$ | 3.41$ |
| 10 - 24 | 3.08$ | 3.23$ |
| 25 - 49 | 2.91$ | 3.06$ |
| 50 - 99 | 2.84$ | 2.98$ |
| 100 - 249 | 2.77$ | 2.91$ |
| 250 - 3353 | 2.63$ | 2.76$ |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -20V, -4.7A - SI2323DS-T1-E3. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -20V, -4.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.0V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 71 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1020pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 01:25.
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