Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18$ | 1.24$ |
5 - 9 | 1.12$ | 1.18$ |
10 - 24 | 1.06$ | 1.11$ |
25 - 49 | 1.00$ | 1.05$ |
50 - 99 | 0.98$ | 1.03$ |
100 - 249 | 0.77$ | 0.81$ |
250 - 2000 | 0.73$ | 0.77$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18$ | 1.24$ |
5 - 9 | 1.12$ | 1.18$ |
10 - 24 | 1.06$ | 1.11$ |
25 - 49 | 1.00$ | 1.05$ |
50 - 99 | 0.98$ | 1.03$ |
100 - 249 | 0.77$ | 0.81$ |
250 - 2000 | 0.73$ | 0.77$ |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -40V, -3.1A - SI2319CDS-T1-GE3. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -40V, -3.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P7. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 27 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 595pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 01:25.
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