Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.78$ | 1.87$ |
5 - 9 | 1.69$ | 1.77$ |
10 - 24 | 1.60$ | 1.68$ |
25 - 49 | 1.51$ | 1.59$ |
50 - 99 | 1.47$ | 1.54$ |
100 - 249 | 0.90$ | 0.95$ |
250 - 6071 | 0.85$ | 0.89$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.78$ | 1.87$ |
5 - 9 | 1.69$ | 1.77$ |
10 - 24 | 1.60$ | 1.68$ |
25 - 49 | 1.51$ | 1.59$ |
50 - 99 | 1.47$ | 1.54$ |
100 - 249 | 0.90$ | 0.95$ |
250 - 6071 | 0.85$ | 0.89$ |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, -60V, -1.2A - SI2309CDS-T1-GE3. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, -60V, -1.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: N9. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 210pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 01:25.
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