Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.26$ | 1.32$ |
5 - 9 | 1.19$ | 1.25$ |
10 - 24 | 1.13$ | 1.19$ |
25 - 49 | 1.07$ | 1.12$ |
50 - 99 | 1.04$ | 1.09$ |
100 - 249 | 1.02$ | 1.07$ |
250 - 288 | 1.06$ | 1.11$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.26$ | 1.32$ |
5 - 9 | 1.19$ | 1.25$ |
10 - 24 | 1.13$ | 1.19$ |
25 - 49 | 1.07$ | 1.12$ |
50 - 99 | 1.04$ | 1.09$ |
100 - 249 | 1.02$ | 1.07$ |
250 - 288 | 1.06$ | 1.11$ |
Transistor canal P, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V - NTD2955-1G. Transistor canal P, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 500pF. C (out): 150pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: NT2955. Dissipation de puissance maxi: 55W. Résistance passante Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 01:25.
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