Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.99$ | 3.14$ |
5 - 9 | 2.84$ | 2.98$ |
10 - 24 | 2.69$ | 2.82$ |
25 - 49 | 2.54$ | 2.67$ |
50 - 99 | 2.48$ | 2.60$ |
100 - 249 | 1.87$ | 1.96$ |
250 - 2670 | 1.78$ | 1.87$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.99$ | 3.14$ |
5 - 9 | 2.84$ | 2.98$ |
10 - 24 | 2.69$ | 2.82$ |
25 - 49 | 2.54$ | 2.67$ |
50 - 99 | 2.48$ | 2.60$ |
100 - 249 | 1.87$ | 1.96$ |
250 - 2670 | 1.78$ | 1.87$ |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, -60V, -15.5A - NTD20P06LT4G. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, -60V, -15.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20P06LG. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 01:25.
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