Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.67$ | 2.80$ |
5 - 9 | 2.53$ | 2.66$ |
10 - 24 | 2.40$ | 2.52$ |
25 - 49 | 2.27$ | 2.38$ |
50 - 99 | 2.21$ | 2.32$ |
100 - 249 | 2.16$ | 2.27$ |
250 - 267 | 2.05$ | 2.15$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.67$ | 2.80$ |
5 - 9 | 2.53$ | 2.66$ |
10 - 24 | 2.40$ | 2.52$ |
25 - 49 | 2.27$ | 2.38$ |
50 - 99 | 2.21$ | 2.32$ |
100 - 249 | 2.16$ | 2.27$ |
250 - 267 | 2.05$ | 2.15$ |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -30V, -3.9A - IRF7316PBF. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -30V, -3.9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7316. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 710pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 00:25.
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