Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF4905SPBF

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF4905SPBF. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F4905S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 20:25.