Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.36$ | 2.48$ |
5 - 9 | 2.24$ | 2.35$ |
10 - 24 | 2.13$ | 2.24$ |
25 - 49 | 2.01$ | 2.11$ |
50 - 98 | 1.96$ | 2.06$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.36$ | 2.48$ |
5 - 9 | 2.24$ | 2.35$ |
10 - 24 | 2.13$ | 2.24$ |
25 - 49 | 2.01$ | 2.11$ |
50 - 98 | 1.96$ | 2.06$ |
Transistor canal P, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V - FQB27P06TM. Transistor canal P, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1100pF. C (out): 510pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 102A. Id (T=100°C): 19.1A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 20:25.
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