Transistor canal P, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v - FDN358P

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.90$	0.95$
5 - 9	0.86$	0.90$
10 - 24	0.81$	0.85$
25 - 49	0.77$	0.81$
50 - 99	0.75$	0.79$
100 - 249	0.78$	0.82$
250 - 1190	0.71$	0.75$

Quantité	U.P
1 - 4	0.90$	0.95$
5 - 9	0.86$	0.90$
10 - 24	0.81$	0.85$
25 - 49	0.77$	0.81$
50 - 99	0.75$	0.79$
100 - 249	0.78$	0.82$
250 - 1190	0.71$	0.75$

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

Quantité en stock : 1190

Lot de 1

Transistor canal P, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v - FDN358P. Transistor canal P, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v. Id (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 182pF. C (out): 56pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 358. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 20:25.

Documentation technique