Transistor canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V - STW20NM60

Quantité	HT	TTC
1 - 1	8.62$	9.05$
2 - 2	8.19$	8.60$
3 - 4	7.76$	8.15$
5 - 9	7.32$	7.69$
10 - 19	7.15$	7.51$
20 - 29	6.98$	7.33$
30 - 30	6.72$	7.06$

Quantité	U.P
1 - 1	8.62$	9.05$
2 - 2	8.19$	8.60$
3 - 4	7.76$	8.15$
5 - 9	7.32$	7.69$
10 - 19	7.15$	7.51$
20 - 29	6.98$	7.33$
30 - 30	6.72$	7.06$

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Transistor canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V - STW20NM60. Transistor canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1450pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W20NM60. Dissipation de puissance maxi: 214W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 21:25.

Documentation technique