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Transistor canal N, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - STW18NM80

Transistor canal N, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - STW18NM80
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Quantité HT TTC
1 - 1 9.95$ 10.45$
2 - 2 9.46$ 9.93$
3 - 4 8.96$ 9.41$
5 - 9 8.46$ 8.88$
10 - 19 8.26$ 8.67$
20 - 29 8.06$ 8.46$
30+ 7.76$ 8.15$
Quantité U.P
1 - 1 9.95$ 10.45$
2 - 2 9.46$ 9.93$
3 - 4 8.96$ 9.41$
5 - 9 8.46$ 8.88$
10 - 19 8.26$ 8.67$
20 - 29 8.06$ 8.46$
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Transistor canal N, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - STW18NM80. Transistor canal N, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=100°C): 10.71A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 100nA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 68A. Idss (min): 10nA. Marquage sur le boîtier: 18NM80. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 21:25.

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