Transistor canal N, 12A, 19A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - STW18NK80Z
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 11.02$ | 11.57$ |
| 2 - 2 | 10.47$ | 10.99$ |
| 3 - 4 | 10.14$ | 10.65$ |
| 5 - 9 | 9.92$ | 10.42$ |
| 10 - 19 | 9.70$ | 10.19$ |
| 20 - 29 | 9.37$ | 9.84$ |
| 30+ | 9.04$ | 9.49$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 11.02$ | 11.57$ |
| 2 - 2 | 10.47$ | 10.99$ |
| 3 - 4 | 10.14$ | 10.65$ |
| 5 - 9 | 9.92$ | 10.42$ |
| 10 - 19 | 9.70$ | 10.19$ |
| 20 - 29 | 9.37$ | 9.84$ |
| 30+ | 9.04$ | 9.49$ |
Transistor canal N, 12A, 19A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - STW18NK80Z. Transistor canal N, 12A, 19A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 6100pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 920 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Protection G-S: oui. Id(imp): 76A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W18NK80Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 46 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 02:25.
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