Transistor canal N, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V - STQ1NK60ZR-AP

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.27$	1.33$
5 - 9	1.21$	1.27$
10 - 24	1.14$	1.20$
25 - 49	1.08$	1.13$
50 - 99	1.05$	1.10$
100 - 249	1.03$	1.08$
250 - 1933	0.89$	0.93$

Quantité	U.P
1 - 4	1.27$	1.33$
5 - 9	1.21$	1.27$
10 - 24	1.14$	1.20$
25 - 49	1.08$	1.13$
50 - 99	1.05$	1.10$
100 - 249	1.03$	1.08$
250 - 1933	0.89$	0.93$

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Transistor canal N, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V - STQ1NK60ZR-AP. Transistor canal N, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. Id (T=100°C): 0.189A. Id (T=25°C): 0.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 13 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammopak. Tension Vds(max): 600V. C (in): 94pF. C (out): 17.6pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 135 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 1NK60ZR. Dissipation de puissance maxi: 3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 13 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: protection Zener, capacité ESD améliorée. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 00:25.

Documentation technique