Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 6.15$ | 6.46$ |
5 - 9 | 5.84$ | 6.13$ |
10 - 24 | 5.54$ | 5.82$ |
25 - 49 | 5.23$ | 5.49$ |
50 - 99 | 5.11$ | 5.37$ |
100 - 229 | 4.42$ | 4.64$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 6.15$ | 6.46$ |
5 - 9 | 5.84$ | 6.13$ |
10 - 24 | 5.54$ | 5.82$ |
25 - 49 | 5.23$ | 5.49$ |
50 - 99 | 5.11$ | 5.37$ |
100 - 229 | 4.42$ | 4.64$ |
Transistor canal N, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP10NK80ZFP. Transistor canal N, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2180pF. C (out): 205pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 645 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK80ZFP. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 05:25.
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