Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.64$ | 3.82$ |
5 - 9 | 3.45$ | 3.62$ |
10 - 24 | 3.34$ | 3.51$ |
25 - 49 | 3.27$ | 3.43$ |
50 - 99 | 3.20$ | 3.36$ |
100 - 249 | 3.09$ | 3.24$ |
250+ | 2.98$ | 3.13$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.64$ | 3.82$ |
5 - 9 | 3.45$ | 3.62$ |
10 - 24 | 3.34$ | 3.51$ |
25 - 49 | 3.27$ | 3.43$ |
50 - 99 | 3.20$ | 3.36$ |
100 - 249 | 3.09$ | 3.24$ |
250+ | 2.98$ | 3.13$ |
Transistor canal N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 650V - SPI07N60C3. Transistor canal N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 650V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 650V. C (in): 16pF. C (out): 30pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Protection G-S: non. Id(imp): 21.9A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 07N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 83W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 22:25.
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