Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 45.62$ | 47.90$ |
2 - 2 | 43.34$ | 45.51$ |
3 - 4 | 42.43$ | 44.55$ |
5 - 9 | 41.51$ | 43.59$ |
10 - 14 | 41.06$ | 43.11$ |
15 - 19 | 40.15$ | 42.16$ |
20 - 30 | 38.78$ | 40.72$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 45.62$ | 47.90$ |
2 - 2 | 43.34$ | 45.51$ |
3 - 4 | 42.43$ | 44.55$ |
5 - 9 | 41.51$ | 43.59$ |
10 - 14 | 41.06$ | 43.11$ |
15 - 19 | 40.15$ | 42.16$ |
20 - 30 | 38.78$ | 40.72$ |
Transistor canal N, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V - SP0010-91630. Transistor canal N, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Id (T=100°C): 49A. Id (T=25°C): 77.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.041 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 650V. C (in): 8180pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 630 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Increased MOSFET dv/dt ruggedness'. Protection G-S: non. Id(imp): 267A. Idss (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: 6R041P6. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 481W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 29 ns. Technologie: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 22:25.
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