Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V - RJH30H2DPK-M0

Quantité	HT	TTC
1 - 1	19.73$	20.72$
2 - 2	18.75$	19.69$
3 - 4	17.76$	18.65$
5 - 9	16.77$	17.61$
10 - 14	16.38$	17.20$
15 - 19	15.98$	16.78$
20 - 48	15.39$	16.16$

Quantité	U.P
1 - 1	19.73$	20.72$
2 - 2	18.75$	19.69$
3 - 4	17.76$	18.65$
5 - 9	16.77$	17.61$
10 - 14	16.38$	17.20$
15 - 19	15.98$	16.78$
20 - 48	15.39$	16.16$

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Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V - RJH30H2DPK-M0. Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 1200pF. C (out): 80pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 23 ns. Compatibilité: Samsung PS42C450B1WXXU. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 250A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.06 ns. Td(on): 0.02 ns. Technologie: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 20:25.

Documentation technique