Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.89$ | 4.08$ |
5 - 9 | 3.70$ | 3.89$ |
10 - 24 | 3.50$ | 3.68$ |
25 - 49 | 3.65$ | 3.83$ |
50 - 99 | 4.09$ | 4.29$ |
100 - 249 | 4.25$ | 4.46$ |
250 - 377 | 4.24$ | 4.45$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.89$ | 4.08$ |
5 - 9 | 3.70$ | 3.89$ |
10 - 24 | 3.50$ | 3.68$ |
25 - 49 | 3.65$ | 3.83$ |
50 - 99 | 4.09$ | 4.29$ |
100 - 249 | 4.25$ | 4.46$ |
250 - 377 | 4.24$ | 4.45$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 70A, TO-220, TO-220, 60V, 50 - RFP70N06. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 70A, TO-220, TO-220, 60V, 50. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Boîtier (norme JEDEC): 50. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFP70N06. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2250pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: Modèle PSPICE® à compensation de température. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 18:25.
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