Transistor canal N, 1.1A, 1.8A, 50uA, 2.7M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 650V - Q67040-S4420

Transistor canal N, 1.1A, 1.8A, 50uA, 2.7M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 650V - Q67040-S4420. Transistor canal N, 1.1A, 1.8A, 50uA, 2.7M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 650V. Id (T=100°C): 1.1A. Id (T=25°C): 1.8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 2.7M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 650V. C (in): 200pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra low gate charge Extreme d v /d t rated. Protection G-S: non. Id(imp): 5.4A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 02N60C3. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 45 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 17/06/2025, 02:25.