Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.21$ | 2.32$ |
5 - 9 | 2.10$ | 2.21$ |
10 - 24 | 1.99$ | 2.09$ |
25 - 49 | 1.88$ | 1.97$ |
50 - 99 | 1.83$ | 1.92$ |
100 - 249 | 1.79$ | 1.88$ |
250 - 363 | 1.70$ | 1.79$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.21$ | 2.32$ |
5 - 9 | 2.10$ | 2.21$ |
10 - 24 | 1.99$ | 2.09$ |
25 - 49 | 1.88$ | 1.97$ |
50 - 99 | 1.83$ | 1.92$ |
100 - 249 | 1.79$ | 1.88$ |
250 - 363 | 1.70$ | 1.79$ |
Transistor canal N, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V - P75N02LD. Transistor canal N, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 75A. Résistance passante Rds On: 5M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 170A. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 00:25.
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