Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.65$ | 1.73$ |
5 - 9 | 1.57$ | 1.65$ |
10 - 24 | 1.49$ | 1.56$ |
25 - 49 | 0.85$ | 0.89$ |
50 - 99 | 0.83$ | 0.87$ |
100 - 249 | 0.81$ | 0.85$ |
250 - 3047 | 0.77$ | 0.81$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.65$ | 1.73$ |
5 - 9 | 1.57$ | 1.65$ |
10 - 24 | 1.49$ | 1.56$ |
25 - 49 | 0.85$ | 0.89$ |
50 - 99 | 0.83$ | 0.87$ |
100 - 249 | 0.81$ | 0.85$ |
250 - 3047 | 0.77$ | 0.81$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 1.7A - NDS355AN. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 1.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDS355AN_NL. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 195pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 00:25.
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