Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 18.41$ | 19.33$ |
2 - 2 | 17.49$ | 18.36$ |
3 - 4 | 16.57$ | 17.40$ |
5 - 9 | 15.65$ | 16.43$ |
10 - 14 | 15.28$ | 16.04$ |
15 - 19 | 14.92$ | 15.67$ |
20 - 36 | 14.36$ | 15.08$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 18.41$ | 19.33$ |
2 - 2 | 17.49$ | 18.36$ |
3 - 4 | 16.57$ | 17.40$ |
5 - 9 | 15.65$ | 16.43$ |
10 - 14 | 15.28$ | 16.04$ |
15 - 19 | 14.92$ | 15.67$ |
20 - 36 | 14.36$ | 15.08$ |
Transistor canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V - IXGH24N60CD1. Transistor canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AD ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1500pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 130 ns. Fonction: HiPerFAST IGBT with Diode. Courant de collecteur: 48A. Ic(puls): 80A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Remarque: transistor IGBT HiPerFAST. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 05:25.
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