Transistor canal N, 5.5V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V - IXFK64N50P

Quantité	HT	TTC
1 - 1	30.07$	31.57$
2 - 2	28.57$	30.00$
3 - 4	27.07$	28.42$
5 - 9	25.56$	26.84$
10 - 14	24.96$	26.21$
15 - 19	24.36$	25.58$
20 - 44	23.46$	24.63$

Quantité	U.P
1 - 1	30.07$	31.57$
2 - 2	28.57$	30.00$
3 - 4	27.07$	28.42$
5 - 9	25.56$	26.84$
10 - 14	24.96$	26.21$
15 - 19	24.36$	25.58$
20 - 44	23.46$	24.63$

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Transistor canal N, 5.5V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V - IXFK64N50P. Transistor canal N, 5.5V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. Id (T=100°C): 5.5V. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 85m Ohms. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 500V. RoHS: oui. C (in): 7900pF. C (out): 790pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 830W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 85 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 04:25.

Documentation technique