Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 33.47$ | 35.14$ |
2 - 2 | 31.80$ | 33.39$ |
3 - 4 | 30.12$ | 31.63$ |
5 - 9 | 28.45$ | 29.87$ |
10 - 14 | 27.78$ | 29.17$ |
15 - 19 | 27.11$ | 28.47$ |
20 - 40 | 26.11$ | 27.42$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 33.47$ | 35.14$ |
2 - 2 | 31.80$ | 33.39$ |
3 - 4 | 30.12$ | 31.63$ |
5 - 9 | 28.45$ | 29.87$ |
10 - 14 | 27.78$ | 29.17$ |
15 - 19 | 27.11$ | 28.47$ |
20 - 40 | 26.11$ | 27.42$ |
Transistor canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V - IXFK34N80. Transistor canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. Id (T=25°C): 34A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.24 Ohms. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 800V. C (in): 7500pF. C (out): 920pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 560W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 04:25.
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