Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 13.38$ | 14.05$ |
2 - 2 | 12.71$ | 13.35$ |
3 - 4 | 12.04$ | 12.64$ |
5 - 9 | 11.37$ | 11.94$ |
10 - 14 | 11.10$ | 11.66$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 13.38$ | 14.05$ |
2 - 2 | 12.71$ | 13.35$ |
3 - 4 | 12.04$ | 12.64$ |
5 - 9 | 11.37$ | 11.94$ |
10 - 14 | 11.10$ | 11.66$ |
Transistor canal N, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V - IXFA130N10T2. Transistor canal N, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6600pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 300A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 360W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 04:25.
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