Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.43$ | 3.60$ |
5 - 9 | 3.26$ | 3.42$ |
10 - 24 | 3.09$ | 3.24$ |
25 - 49 | 2.92$ | 3.07$ |
50 - 99 | 2.85$ | 2.99$ |
100 - 249 | 2.78$ | 2.92$ |
250 - 2307 | 2.31$ | 2.43$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.43$ | 3.60$ |
5 - 9 | 3.26$ | 3.42$ |
10 - 24 | 3.09$ | 3.24$ |
25 - 49 | 2.92$ | 3.07$ |
50 - 99 | 2.85$ | 2.99$ |
100 - 249 | 2.78$ | 2.92$ |
250 - 2307 | 2.31$ | 2.43$ |
Transistor canal N, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V - IRLR3110ZPBF. Transistor canal N, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Id (T=100°C): 45A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3980pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 34-51 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRLR3110ZPbF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 79W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: ±16. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 12:25.
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