Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.84$ | 0.88$ |
10 - 24 | 0.79$ | 0.83$ |
25 - 49 | 0.75$ | 0.79$ |
50 - 99 | 0.71$ | 0.75$ |
100 - 249 | 0.69$ | 0.72$ |
250 - 499 | 0.68$ | 0.71$ |
500 - 2497 | 0.64$ | 0.67$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.84$ | 0.88$ |
10 - 24 | 0.79$ | 0.83$ |
25 - 49 | 0.75$ | 0.79$ |
50 - 99 | 0.71$ | 0.75$ |
100 - 249 | 0.69$ | 0.72$ |
250 - 499 | 0.68$ | 0.71$ |
500 - 2497 | 0.64$ | 0.67$ |
Transistor - IRLR024NTRPBF. ROHS: Oui. Boîtier: TO252AA, DPAK. Puissance: 38W. Montage/installation: SMD. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Polarité: unipolaire. Technologie: HEXFET®. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Tension drain - source: 55V. Courant de drain: 17A. Résistance dans l'état passant: 65m Ohms. Tension grille-source: 16V, ±16V. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Charge: 10nC. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 08:25.
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