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Transistor canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRL640

Transistor canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRL640
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Quantité HT TTC
1 - 4 2.75$ 2.89$
5 - 9 2.62$ 2.75$
10 - 24 2.48$ 2.60$
25 - 26 2.34$ 2.46$
Quantité U.P
1 - 4 2.75$ 2.89$
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Transistor canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRL640. Transistor canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1800pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 310 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 08:25.

Produits équivalents :

Quantité en stock : 81
IRL640A

IRL640A

Transistor canal N, 0.18 Ohms, TO-220, 18A, 18A, TO-220AB, 200V. Résistance passante Rds On: 0.18 O...
IRL640A
Transistor canal N, 0.18 Ohms, TO-220, 18A, 18A, TO-220AB, 200V. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 18A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 110W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS
IRL640A
Transistor canal N, 0.18 Ohms, TO-220, 18A, 18A, TO-220AB, 200V. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 18A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 110W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS
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1.82$ TTC
(1.73$ HT)
1.82$

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