Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.01$ | 3.16$ |
5 - 9 | 2.86$ | 3.00$ |
10 - 24 | 2.70$ | 2.84$ |
25 - 49 | 2.55$ | 2.68$ |
50 - 99 | 2.49$ | 2.61$ |
100 - 249 | 2.27$ | 2.38$ |
250 - 781 | 2.16$ | 2.27$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.01$ | 3.16$ |
5 - 9 | 2.86$ | 3.00$ |
10 - 24 | 2.70$ | 2.84$ |
25 - 49 | 2.55$ | 2.68$ |
50 - 99 | 2.49$ | 2.61$ |
100 - 249 | 2.27$ | 2.38$ |
250 - 781 | 2.16$ | 2.27$ |
Transistor canal N, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRL540NS. Transistor canal N, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 26A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 1800pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 08:25.
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