Transistor canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH50U

Quantité	HT	TTC
1 - 1	13.06$	13.71$
2 - 2	12.41$	13.03$
3 - 4	11.75$	12.34$
5 - 9	11.10$	11.66$
10 - 19	10.84$	11.38$
20 - 29	10.58$	11.11$
30 - 36	10.19$	10.70$

Quantité	U.P
1 - 1	13.06$	13.71$
2 - 2	12.41$	13.03$
3 - 4	11.75$	12.34$
5 - 9	11.10$	11.66$
10 - 19	10.84$	11.38$
20 - 29	10.58$	11.11$
30 - 36	10.19$	10.70$

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Transistor canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH50U. Transistor canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (out): 160pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Courant de collecteur: 45A. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: IRG4PH50U. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 35 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.56V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). C (in): 3600pF. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 11:25.

Documentation technique