Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.46$ | 1.53$ |
5 - 9 | 1.39$ | 1.46$ |
10 - 24 | 1.32$ | 1.39$ |
25 - 49 | 1.24$ | 1.30$ |
50 - 99 | 1.21$ | 1.27$ |
100 - 112 | 1.18$ | 1.24$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.46$ | 1.53$ |
5 - 9 | 1.39$ | 1.46$ |
10 - 24 | 1.32$ | 1.39$ |
25 - 49 | 1.24$ | 1.30$ |
50 - 99 | 1.21$ | 1.27$ |
100 - 112 | 1.18$ | 1.24$ |
Transistor canal N, 2.7A, 4.3A, 4.3A, 0.54 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 100V - IRFU110. Transistor canal N, 2.7A, 4.3A, 4.3A, 0.54 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 100V. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 4.3A. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 100V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 17A. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 15:25.
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